GaAs微电子集成器件制造技术

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　　本发明专利技术提供了一种GaAs微电子集成器件，其包括外延层、三个器件结构层，外延层包括衬底和N-GaAs集电区，三个器件结构层、第二器件结构层与第三器件结构层均形成在该集电区上，且相互通过器件隔离区隔离；第一器件结构层包括第一P-GaAs基区、第一N-InyGa1-yP发射区、第一N+-InzGa1-zAs帽层、器件隔离层、AlN薄膜层和SAW电极；第二器件结构层包括第二P-GaAs基区、第二N-InyGa1-yP发射区和第二N+-InzGa1-zAs帽层；第三器件结构层包括第三P-GaAs基区；第二器件结构层与第三器件结构层均具有N型电极和P型电极。本发明专利技术能够实现射频接收前端的器件极集成。

　　当前，在射频通信技术中，主流的射频接收前端架构为：SAW(声表面波，Surfaceacousticwave)滤波器+GaAsHBT放大器+限幅器，三种独立的芯片构成一个完整的接收端，但这种架构存在以下问题：1.在组装后需要调试，不利于大批量生产且调试过程中的人为因素的介入会给调试结果引入不确定因素，不利于提升架构质量；2.三种芯片各自独立，没有集成在一起，不利于射频系统的小型化和功能多样性；3.由于需要用到三种芯片，不利于降低成本。

　　本专利技术主要解决的技术问题是提供一种GaAs微电子集成器件，能够实现射频接收前端的器件极集成。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种GaAs微电子集成器件，包括外延层、第一器件结构层、第二器件结构层与第三器件结构层，所述外延层包括下层的衬底和上层的N-GaAs集电区，所述第一器件结构层、第二器件结构层与第三器件结构层均形成在所述N-GaAs集电区上，且相互通过器件隔离区隔离，所述器件隔离区

　　一种GaAs微电子集九游科技有限公司,九游官方网站,九游j9成器件，其特征在于，包括外延层、第一器件结构层、第二器件结构层与第三器件结构层，所述外延层包括下层的衬底和上层的N‑GaAs集电区，所述第一器件结构层、第二器件结构层与第三器件结构层均形成在所述N‑GaAs集电区上，且相互通过器件隔离区隔离，所述器件隔离区嵌入延伸至所述N‑GaAs集电区内部；所述第一器件结构层包括由下自上依次形成的第一P‑GaAs基区、第一N‑InyGa1‑yP发射区、第一N+‑InzGa1‑zAs帽层、器件隔离层、AlN薄膜层和SAW电极；所述第二器件结构层包括由下自上依次形成的第二P‑GaAs基区、第二N‑InyGa1‑yP发射区和第二N+‑InzGa

　　其中，所述第二N+-InzGa1-zAs帽层上以及所述第二器件结构层和所